解决方案|ICP-OES法测定半导体材料制备工艺中镓、铁、钒、铜、钙、镁、铝、锌和硫含量

发布时间：2022-11-25

目前，我国已经成为最大的半导体市场，并且继续保持最快的增速。伴随着国内半导体核心材料技术的突破，预计我国半导体材料市场需求将得到更大释放。半导体材料的生产过程涉及多晶合成、单晶生长后的切割、磨边、研磨、抛光、清洗等多道工艺及废液的处理等多步工艺程序。在生产过程中，各工艺步骤是否合格，需要准确可靠的检测手段。电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP-OES）常用来测定各种物质中常量、微量、痕量金属元素或非金属元素的含量，在半导体行业得到广泛的应用。本文利用ICP-OES建立了半导体材料生产工艺中特定环节中电解液、滤液、母液、尾液、合格液中镓、铁、钒、铜、钙、镁、铝、锌及硫元素的测定方法，供相关人员参考。

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